Coupled non-destructive methods, Scanning Electron Microscopy, Kelvin Force Probe microscopy and µ-Raman to characterize doping in 4H-SiC power devices - Laboratoire de Recherche en Nanosciences - EA 4682
Poster De Conférence Année : 2023

Coupled non-destructive methods, Scanning Electron Microscopy, Kelvin Force Probe microscopy and µ-Raman to characterize doping in 4H-SiC power devices

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Optique / photonique
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Soumis le : jeudi 20 juin 2024-13:22:14

Dernière modification le : vendredi 21 juin 2024-03:22:09

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Dates et versions

hal-04618679 , version 1 (20-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04618679 , version 1

Citer

Enora Vuillermet, Kuan-Ting Wu, Anaël Sédilot, Régis Deturche, Nicolas Bercu, et al.. Coupled non-destructive methods, Scanning Electron Microscopy, Kelvin Force Probe microscopy and µ-Raman to characterize doping in 4H-SiC power devices. 5e édition des French Photonics Days, Oct 2023, Strasboug, France. ⟨hal-04618679⟩

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